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起止时间:2020-02-20到2020-07-12
更新状态:已完结
第1周：知识单元一 – PN结与半导体二极管（4学时） PN结与半导体二极管单元测试
1、 P型半导体中，少数载流子是：
A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 自由电子
2、 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：
A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: N型半导体
3、 稳压管是利用PN结的（ ）特性制作而成的。
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 反向击穿性
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）
A:AB
B:BC
C:CA
D:CB
答案: CA
5、 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：“足够多”的三价元素，可以提供“足够多”的空穴。
6、 由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：N型半导体整体呈电中性：大量自由电子存在的同时，还有大量正离子（五价元素提供一个自由电子，成为离子）。
7、 PN结正偏时，势垒电容是主要的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：PN结正偏时，势垒区较窄，扩散电容是主要的。
8、 当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第2周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（1）（4学时） 场效应管及其放大电路（1）单元测试
1、 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A:N沟道结型管
B:P沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 耗尽型PMOS管
2、 下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
A:(b)
B:（a)
C:(c)
D:(d)
答案: (c)
3、 图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：
A:减小
B:增大
C:不变
D:不定
答案: 减小
4、 某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案: N沟道JFET
5、 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
A:静态工作点过于靠近截止区
B:静态工作点过于靠近饱和区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 静态工作点过于靠近截止区
6、 如图两个电路能否放大输入信号？
A:（a）不可以 （b）不可以
B:（a）可以 （b）可以
C:（a）可以 （b）不可以
D:（a）不可以 （b）可以
答案: （a）不可以 （b）不可以
7、 共源放大电路的输入电阻通常_（A、大于， B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A、大， B、小，C、适中）。
A:AA
B:AB
C:AC
D:BA
E:BB
F:BC
G:CA
H:CB
I:CC
J:均不正确
答案: AB
第3周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（2）（4学时） 场效应管及其放大电路（2）单元测试
1、 已知场效应管的输出特性或转移如题图所示，试判别其类型。
（a） （b）
A:a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
B:a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
C:a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
D:a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
答案: a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
2、 2
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 截止区
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